·çÇÁ·çÇÁ¿Í ´ÙÀ̳ëÅÊÀÇ Æ¯º°ÇÑ ¸¸³², ½ºÆä¼È Ä÷º¼Ç ¡®·çÇÁ·çÇÁ with ´ÙÀ̳ëÅÊ¡¯ °ø°³
½ºÀ«¿þ¾î ºê·£µå ·çÇÁ·çÇÁ, ´ÙÀ̳ëÅÊ(DINOTAENG)°ú Çù¾÷ÇÑ ½ºÆä¼È Ä÷º¼Ç °ø°³¡¦ 9¿ù 9ÀÏ Ãâ½Ã ¹× ±â³ä ÇÁ·Î¸ð¼Ç ÁøÇà ´ÙÀ̳ëÅÊ ¿¡µð¼Ç ¼ö¿µº¹¡¤¼ö¸ð¿Í ´ÙÀ̳ëÅÊ ÄõÄ« ½ºÆä¼È ۸µ µî ´Ùä·Î¿î Á¦Ç° ¶óÀξ÷ ¼±º¸¿©
(¼¿ï=´º½º¿ÍÀ̾î) 2025-09-09
¾Ö´ÏÆÐ½º, ¡®¸ð¹ÙÀÏ Á¶ÇÕ¿øÁõ¡¯À¸·Î Àü±¹ °ø¹«¿ø³ëÁ¶ µðÁöÅÐ Àüȯ Áö¿ø
Àü±¹ °ø¹«¿ø³ëÁ¶ ´ë»ó ¡®1ÀÎ´ç ¿ù 300¿ø¡¯ Ưº° ÇÁ·Î¸ð¼Ç ÁøÇà, ºñ¿ë ºÎ´ã ÃÖ¼ÒÈ ½Ç¹° Ä«µå Á¦ÀÛ¡¤Àç¹ß±Þ ¾ø´Â ÇÕ¸®Àû ±¸µ¶Çü ¼ºñ½º ºÐ½Ç¡¤À§º¯Á¶ À§Çè Â÷´Ü, °ü¸®ÀÚ ¿øÅ¬¸¯ ±ÇÇÑ È¸¼ö¡¤°øÁö ¾Ë¸² ÅëÇÕÀ¸·Î Á¶ÇÕ ¿î¿µ È¿À² ±Ø´ëÈ
(Á¦ÁÖ=´º½º¿ÍÀ̾î) 2025-09-09
¿¤¾Ø¿¡ÇÁ, BW ÀÏ¹Ý °ø¸ð 10Á¶¿ø ÀÌ»ó ¸ô¸®¸ç ´ëÈïÇà ¸¶°¨¡¦ °æÀï·ü 51.89:1 ±â·Ï
¸ðÁý ±Ý¾× ¾à 2000¾ï¿ø ´ëºñ ÃÑ 10Á¶3362¾ï¿ø û¾à, Çѱ¹ BW °ø¸ð ¿ª»ç»ó ÃÖ´ë û¾à ´ë±Ý ´Þ¼º 500¾ï¿ø ÀÌ»ó ´ë±Ô¸ð °ø¸ð Áß ÃÖ°í °æÀï·ü·Î ÅõÀÚÀÚ °ü½É ÁýÁß ¹× ±Û·Î¹ú ¼ö¿ä È®ÀÎ °ø¸ð ÀÚ±Ý ¾à 2000¾ï¿ø Àü¾× LFP ½Å±Ô »ç¾÷ ÅõÀÔ, ÁßÀú°¡ EV¡¤ESS ½ÃÀå °ø·« º»°ÝÈ
(´ë±¸=´º½º¿ÍÀ̾î) 2025-09-09
À¯´ÏÄÅÄÄÆÛ´Ï, AI µ¥ÀÌÅÍ Àü·«¡¤Æ¯Çã·Î ÇÁ·£Â÷ÀÌÁî ±â¾÷È °¡¼Ó
ºê·£µù¡¤¹°·ù¡¤ESG±îÁö ü°èÈ¡¦ Â÷¼¼´ë ¿Ü½Ä±â¾÷ ¸ðµ¨ Á¦½Ã
(¼¿ï=´º½º¿ÍÀ̾î) 2025-09-03
Toshiba Releases 650V 3rd Generation SiC MOSFETs in TOLL Package
Three new devices boost efficiency and power density of industrial equipment
(KAWASAKI, Japan=´º½º¿ÍÀ̾î) 2025-08-31